參數(shù)資料
型號(hào)： MMDF3N03HDR2
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Power MOSFET 3 Amps, 30 Volts
中文描述： 4.1 A, 30 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MINIATURE, CASE 751-07, SOP-8
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
文件大?。?/td> 281K
代理商： MMDF3N03HDR2
6
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
TJ, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
EA
Figure 12. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
Figure 13. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
A
0
25
50
75
100
125
150
ID = 9 A
250
150
350
100
50
200
300
0.1
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
1
10
I
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
0.01
VGS = 20 V
SINGLE PULSE
TC = 25
°
C
10
0.1
dc
10 ms
1
100
100
Mounted on 2” sq. FR4 board (1” sq. 2 oz. Cu 0.06”
thick single sided) with one die operating, 10s max.
1 ms
100
μ
s
10
μ
s
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Figure 14. Thermal Response
Figure 15. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
t, TIME (s)
R
T
1
0.1
0.01
D = 0.5
SINGLE PULSE
1.0E–05
1.0E–04
1.0E–03
1.0E–02
1.0E–01
1.0E+00
1.0E+01
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1.0E+02
1.0E+03
0.001
10
0.0175
0.0710
0.2706
0.5776
0.7086
107.55 F
1.7891 F
0.3074 F
0.0854 F
0.0154 F
Chip
Ambient
Normalized to
θ
ja at 10s.
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