型號(hào): | MMFR-29C516E-31SB |
廠商: | TEMIC SEMICONDUCTORS |
元件分類: | 通用總線功能 |
英文描述: | 16 Bit Flow Through EDAC Error Detection And Correction unit |
中文描述: | CMOS SERIES, 16-BIT ERROR DETECT AND CORRECT CKT |
封裝: | MQFP-100 |
文件頁數(shù): | 3/16頁 |
文件大?。?/td> | 94K |
代理商: | MMFR-29C516E-31SB |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MMKR-29C516E-31SB | 16 Bit Flow Through EDAC Error Detection And Correction unit |
MMFT1N10E | MEDIUM POWER TMOS FET 1 AMP 100 VOLTS |
MMFT1N10 | MEDIUM POWER TMOS FET 1 AMP 100 VOLTS |
MMFT2N02EL | SPST, 150mA PC Mount Pushbutton |
MMFT2N25E | SPST, 150mA PC Mount Pushbutton |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MMFS4N01HDR2 | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
MMFS4P01HDR2 | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
MMFT107T1 | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 250MA SOT223 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
MMFT107T1D | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 250 mA, 200 Volts |
MMFT107T3 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 250 mA, 200 Volts |