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參數(shù)資料
| 型號： | MMJT9435 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Bipolar Power Transistors PNP Silicon(PNP型雙極性功率晶體管) |
| 中文描述： | Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | CASE 318E-04, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 85K |
| 代理商： | MMJT9435 |
MMJT9435
http://onsemi.com
3
1. Pulse Test: Pulse Width
≤
300 s, Duty Cycle
≤
2%.
2. f
T
= |h
FE
|
f
test
OFF CHARACTERISTICS
C
B
CollectorEmitter Sustaining Voltage
V
CEO(sus)
(I
= 50 Adc, I
= 0 Adc)
EBO
6.0
20
(V
CE
= 25 Vdc, R
BE
= 200 )
CE
BE
J
10
Emitter Cutoff Current
I
EBO
C
B
(I
C
= 1.2 Adc, I
B
= 20 mAdc)
CE(sat)
1.25
0.275
BaseEmitter Saturation Voltage
90
V
BE(sat)
1.10
(I
C
= 1.2 Adc, V
CE
= 4.0 Vdc)
(I
= 3.0 Adc, V
= 1.0 Vdc)
(I
C
= 0.8 Adc, V
CE
= 1.0 Vdc)
125
110
(V
CB
= 10 Vdc, I
E
= 0 Adc, f = 1.0 MHz)
135
150
(V
EB
= 8.0 Vdc)
C
CE
test
CurrentGain Bandwidth Product (Note 2)
f
T
Figure 1. Collector Saturation Region
Figure 2. Collector Saturation Region
100
1000
1.0
I
B
, BASE CURRENT (mA)
1.0
0.50
0.25
I
B
, BASE CURRENT (mA)
100
1000
1.0
0
VC
0
10
10
0.05
0.25
0.75
0.10
0.15
0.20
VC
I
C
= 3.0 A
1.2 A
0.8 A
0.25 A
0.5 A
I
C
= 0.25 A
1.2 A
0.8 A
0.5 A
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