參數(shù)資料
型號： MMSD4148T3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率)
英文描述： 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： CASE 425-04, 2 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 74K
代理商： MMSD4148T3
MMSD4148T1
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Reverse Breakdown Voltage
(IBR = 100 mA)
V(BR)
100
-
V
Reverse Voltage Leakage Current
(VR = 20 V)
(VR = 75 V)
IR
-
25
5.0
nA
mA
Forward Voltage
(IF = 10 mA)
VF
-
1000
mV
Diode Capacitance
(VR = 0 V, f = 1.0 MHz)
CD
-
4.0
pF
Reverse Recovery Time
(IF = IR = 10 mA) (Figure 1)
trr
-
4.0
ns
1. A 2.0 k
W variable resistor adjusted for a Forward Current (IF) of 10 mA.
2. Input pulse is adjusted so IR(peak) is equal to 10 mA.
3. tp trr
+10 V
2 k
820
W
0.1
mF
DUT
VR
100
mH
0.1
mF
50
W OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50
W INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
tr
tp
t
10%
90%
IF
IR
trr
t
iR(REC) = 1 mA
OUTPUT PULSE
(IF = IR = 10 mA; measured
at iR(REC) = 1 mA)
IF
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
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PDF描述
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參數(shù)描述
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