參數(shù)資料
型號： MMSZ10ET3G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 齊納二極管
英文描述： 10 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封裝： LEAD FREE, PLASTIC, CASE 425-04, 2 PIN
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 81K
代理商： MMSZ10ET3G
MMSZ2V4ET1 Series
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted, VF = 0.9 V Max. @ IF = 10 mA)
Device
Marking
VZ1 (V)
(Notes 4 and 5)
ZZT1
(Note 6)
VZ2 (V)
(Notes 4 and 5)
ZZT2
(Note 6)
Max Reverse
Leakage Current
@ IZT1 = 5 mA
@ IZT2 = 1 mA
IR @ VR
Min
Nom
Max
W
Min
Max
W
mA
V
MMSZ2V4ET1, G
CL1
2.28
2.4
2.52
100
1.7
2.1
600
50
1
MMSZ2V7ET1, G
CL2
2.57
2.7
2.84
100
1.9
2.4
600
20
1
MMSZ3V0ET1
CL3
2.85
3.0
3.15
95
2.1
2.7
600
10
1
MMSZ3V3ET1, G
CL4
3.14
3.3
3.47
95
2.3
2.9
600
5
1
MMSZ3V6ET1, G
CL5
3.42
3.6
3.78
90
2.7
3.3
600
5
1
MMSZ3V9ET1, G
CL6
3.71
3.9
4.10
90
2.9
3.5
600
3
1
MMSZ4V3ET1
CL7
4.09
4.3
4.52
90
3.3
4.0
600
3
1
MMSZ4V7ET1
CL8
4.47
4.7
4.94
80
3.7
4.7
500
3
2
MMSZ5V1ET1, G
CL9
4.85
5.1
5.36
60
4.2
5.3
480
2
MMSZ5V6ET1
CM1
5.32
5.6
5.88
40
4.8
6.0
400
1
2
MMSZ6V2ET1
CM2
5.89
6.2
6.51
10
5.6
6.6
150
3
4
MMSZ6V8ET1
CM3
6.46
6.8
7.14
15
6.3
7.2
80
2
4
MMSZ7V5ET1
CM4
7.13
7.5
7.88
15
6.9
7.9
80
1
5
MMSZ8V2ET1
CM5
7.79
8.2
8.61
15
7.6
8.7
80
0.7
5
MMSZ9V1ET1
CM6
8.65
9.1
9.56
15
8.4
9.6
100
0.5
6
MMSZ10ET1, G
CM7
9.50
10
10.50
20
9.3
10.6
150
0.2
7
MMSZ11ET1
CM8
10.45
11
11.55
20
10.2
11.6
150
0.1
8
MMSZ12ET1, G
CM9
11.40
12
12.60
25
11.2
12.7
150
0.1
8
MMSZ13ET1
CN1
12.35
13
13.65
30
12.3
14.0
170
0.1
8
MMSZ15ET1, G
CN2
14.25
15
15.75
30
13.7
15.5
200
0.05
10.5
MMSZ16ET1, G
CN3
15.20
16
16.80
40
15.2
17.0
200
0.05
11.2
MMSZ18ET1, G
CN4
17.10
18
18.90
45
16.7
19.0
225
0.05
12.6
MMSZ20ET1, G
CN5
19.00
20
21.00
55
18.7
21.1
225
0.05
14
MMSZ22ET1, G
CN6
20.90
22
23.10
55
20.7
23.2
250
0.05
15.4
MMSZ24ET1
CN7
22.80
24
25.20
70
22.7
25.5
250
0.05
16.8
4. The type numbers shown have a standard tolerance of
±5% on the nominal Zener Voltage.
5. Tolerance and Voltage Designation: Zener Voltage (VZ) is measured with the Zener Current applied for PW = 1 ms.
6. ZZT and ZZK are measured by dividing the AC voltage drop across the device by the AC current applied. The specified limits are for
IZ(AC) = 0.1 IZ(DC), with the AC frequency = 1 kHz.
Devices listed in bold, italic are ON Semiconductor Preferred devices. Preferred devices are recommended choices for future use and
best overall value.
* The “G” suffix indicates PbFree package available.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMSZ24ET1G 24 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ4V7ET1G 4.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ5V6ET1G 5.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ6V2ET1G 6.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ6V8ET1G 6.8 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMSZ10T1 功能描述:穩(wěn)壓二極管 10V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MMSZ10T1G 功能描述:穩(wěn)壓二極管 10V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MMSZ10T3 功能描述:穩(wěn)壓二極管 10V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MMSZ10T3G 功能描述:穩(wěn)壓二極管 10V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MMSZ10V 制造商:YEASHIN 制造商全稱:YEASHIN 功能描述:500mW SOD-123 SURFACE MOUNT
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*