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參數(shù)資料
| 型號： | MMSZ8V2ET1G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 齊納二極管 |
| 英文描述： | 8.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 425-04, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 81K |
| 代理商： | MMSZ8V2ET1G |
MMSZ2V4ET1 Series
http://onsemi.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS
VZ
,TEMPERATURE
COEFFICIENT
(mV/
C)°
θ
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
3
2
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
Figure 1. Temperature Coefficients
(Temperature Range 55
°C to +150°C)
TYPICAL TC VALUES
FOR MMSZ2V4T1 SERIES
VZ @ IZT
VZ
,TEMPERATURE
COEFFICIENT
(mV/
C)°
θ
100
10
100
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
Figure 2. Temperature Coefficients
(Temperature Range 55
°C to +150°C)
VZ @ IZT
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
150
125
100
75
50
25
0
T, TEMPERATURE (
°C)
Figure 3. Steady State Power Derating
PD versus TA
PD versus TL
P
pk
,PEAK
SURGE
POWER
(W
A
TTS)
0.1
PW, PULSE WIDTH (ms)
Figure 4. Maximum Nonrepetitive Surge Power
1
10
100
1000
100
10
1
RECTANGULAR
WAVEFORM, TA = 25°C
100
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE
Figure 5. Effect of Zener Voltage on
Zener Impedance
10
1
Z ZT
,DYNAMIC
IMPEDANCE
(
)
Ω
1000
100
10
1
TJ = 25°C
IZ(AC) = 0.1 IZ(DC)
f = 1 kHz
IZ = 1 mA
5 mA
20 mA
VF, FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Typical Forward Voltage
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
I F
,FOR
W
ARD
CURRENT
(mA)
1000
100
10
1
75 V (MMSZ5267BT1)
91 V (MMSZ5270BT1)
150
°C
75
°C
25
°C
TYPICAL TC VALUES
FOR MMSZ2V4T1 SERIES
0
°C
10
1
P D
,POWER
DISSIP
ATION
(W
ATTS)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMSZ22ET3G | 22 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ22ET3 | 22 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ27ET3G | 27 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ3V3ET3G | 3.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ36ET1G | 36 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMSZ8V2T1 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 8.2V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMSZ8V2T1G | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 8.2V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMSZ8V2T1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Zener Diode |
| MMSZ8V2T1H | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MMSZ8V2T3 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 8.2V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
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