參數(shù)資料
型號： MP6404
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Power MOS FET Module Silicon N&P Channel MOS Type
中文描述： 東芝功率場效應(yīng)晶體管模塊硅?
文件頁數(shù)： 8/11頁
文件大小： 276K
代理商： MP6404
MP6404
2004-07-01
8
Pch MOS FET
Drain-source voltage V
DS
(V)
Capacitance – V
DS
C
Case temperature Tc (°C)
R
DS (ON)
– Tc
D
D
)
Drain-source voltage V
DS
(V)
I
DR
– V
DS
D
D
G
G
Total gate charge Q
g
(nC)
Dynamic Input/Output Characteristics
D
D
Case temperature Tc (°C)
V
th
– Tc
G
t
0
80
ID =
5,
2.5,
1.2 A
2.5
1.2
VGS =
4 V
40
0
40
80
120
160
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Common source
ID =
5 A
VGS =
10 V
Common source
Tc = 25°C
0.1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.3
0.5
1
3
5
10
30
VGS = 0, 1 V
10
3
1
0
80
Common source
VDS =
10 V
ID =
1 mA
40
0
40
80
120
160
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
0
10
20
30
40
50
8
16
24
32
40
0
4
8
12
16
20
VDD =
48 V
12
24
VDS
VGS
Common source
ID =
5 A
Tc = 25°C
30
0.1
0.3
1
3
10
30
100
50
100
300
500
1000
3000
5000
Common source
VGS = 0 V
f = 1MHz
Tc = 25°C
Ciss
Coss
Crss
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PDF描述
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