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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MPC8377VRANGA |
| 廠商： | Freescale Semiconductor |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 37/127頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MPU POWERQUICC II 800MHZ 689PBGA |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 27 |
| 系列： | MPC83xx |
| 處理器類(lèi)型： | 32-位 MPC83xx PowerQUICC II Pro |
| 速度： | 800MHz |
| 電壓： | 1.05V |
| 安裝類(lèi)型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 689-BBGA 裸露焊盤(pán) |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 689-TEPBGA II（31x31） |
| 包裝： | 托盤(pán) |
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MPC8377E PowerQUICC II Pro Processor Hardware Specifications, Rev. 8
Freescale Semiconductor
17
6.1
DDR1 and DDR2 SDRAM DC Electrical Characteristics
This table provides the recommended operating conditions for the DDR2 SDRAM component(s) of the
device when GVDD(typ) = 1.8 V.
This table provides the recommended operating conditions for the DDR SDRAM component(s) when
GVDD(typ) = 2.5 V.
Table 13. DDR2 SDRAM DC Electrical Characteristics for GVDD(typ) = 1.8 V
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Note
I/O supply voltage
GVDD
1.71
1.89
V
I/O reference voltage
MVREF
0.49
× GVDD
0.51
× GVDD
I/O termination voltage
VTT
MVREF –0.04
MVREF +0.04
V
Input high voltage
VIH
MVREF + 0.140
GVDD +0.3
V
—
Input low voltage
VIL
–0.3
MVREF – 0.140
V
—
Output leakage current
IOZ
–50
50
μA4
Output high current (VOUT =1.40V)
IOH
–13.4
—
mA
—
Output low current (VOUT =0.3 V)
IOL
13.4
—
mA
—
Notes:
1. GVDD is expected to be within 50 mV of the DRAM GVDD at all times.
2. MVREF is expected to be equal to 0.5 × GVDD, and to track GVDD DC variations as measured at the receiver. Peak-to-peak
noise on MVREF may not exceed ±2% of the DC value.
3. VTT is not applied directly to the device. It is the supply to which far end signal termination is made and is expected to be
equal to MVREF. This rail should track variations in the DC level of MVREF.
4. Output leakage is measured with all outputs disabled, 0 V
≤ V
OUT ≤ GVDD.
5. See AN3665, “MPC837xE Design Checklist,” for proper DDR termination.
Table 14. DDR2 SDRAM Capacitance for GVDD(typ) = 1.8 V
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Note
Input/output capacitance: DQ, DQS, DQS
CIO
68
pF
Delta input/output capacitance: DQ, DQS, DQS
CDIO
—0.5
pF
Note:
1. This parameter is sampled. GVDD = 1.8 V ± 0.090 V, f = 1 MHz, TA = 25°C, VOUT = GVDD/2, VOUT (peak-to-peak) = 0.2 V.
Table 15. DDR SDRAM DC Electrical Characteristics for GVDD (typ) = 2.5 V
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Note
I/O supply voltage
GVDD
2.375
2.625
V
I/O reference voltage
MVREF
0.49
× GVDD
0.51
× GVDD
I/O termination voltage
VTT
MVREF – 0.04
MVREF + 0.04
V
Input high voltage
VIH
MVREF + 0.18
GVDD + 0.3
V
—
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