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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MPC8541EVTAJD |
| 廠商： | Freescale Semiconductor |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/88頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC MPU POWERQUICC III 783-FCPBGA |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： | MPC8544E PowerQUICC™ III |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 36 |
| 系列： | MPC85xx |
| 處理器類(lèi)型： | 32-位 MPC85xx PowerQUICC III |
| 速度： | 533MHz |
| 電壓： | 1.2V |
| 安裝類(lèi)型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 783-BBGA，F(xiàn)CBGA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 783-FCPBGA（29x29） |
| 包裝： | 托盤(pán) |
| 配用： | CWH-PPC-8540N-VE-ND - KIT EVAL SYSTEM MPC8540 |
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MPC8541E PowerQUICC III Integrated Communications Processor Hardware Specification, Rev. 4.2
16
Freescale Semiconductor
DDR SDRAM
6
DDR SDRAM
This section describes the DC and AC electrical specifications for the DDR SDRAM interface of the
MPC8541E.
6.1
DDR SDRAM DC Electrical Characteristics
Table 11 provides the recommended operating conditions for the DDR SDRAM component(s) of the
MPC8541E.
Table 12 provides the DDR capacitance.
Table 11. DDR SDRAM DC Electrical Characteristics
Parameter/Condition
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
I/O supply voltage
GVDD
2.375
2.625
V
1
I/O reference voltage
MVREF
0.49
× GVDD
0.51
× GVDD
V2
I/O termination voltage
VTT
MVREF – 0.04
MVREF + 0.04
V
3
Input high voltage
VIH
MVREF + 0.18
GVDD + 0.3
V
—
Input low voltage
VIL
–0.3
MVREF – 0.18
V
—
Output leakage current
IOZ
–10
10
μA4
Output high current (VOUT = 1.95 V)
IOH
–15.2
—
mA
—
Output low current (VOUT = 0.35 V)
IOL
15.2
—
mA
—
MVREF input leakage current
IVREF
—5
μA—
Notes:
1. GVDD is expected to be within 50 mV of the DRAM GVDD at all times.
2. MVREF is expected to be equal to 0.5 × GVDD, and to track GVDD DC variations as measured at the receiver. Peak-to-peak
noise on MVREF may not exceed ±2% of the DC value.
3. VTT is not applied directly to the device. It is the supply to which far end signal termination is made and is expected to be
equal to MVREF. This rail should track variations in the DC level of MVREF.
4. Output leakage is measured with all outputs disabled, 0 V
≤ V
OUT ≤ GVDD.
Table 12. DDR SDRAM Capacitance
Parameter/Condition
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
Input/output capacitance: DQ, DQS, MSYNC_IN
CIO
68
pF
1
Delta input/output capacitance: DQ, DQS
CDIO
—0.5
pF
1
Note:
1. This parameter is sampled. GVDD = 2.5 V ± 0.125 V, f = 1 MHz, TA = 25°C, VOUT = GVDD/2, VOUT (peak to peak) = 0.2 V.
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參數(shù)描述 |
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| MPC8541EVTAPF | 功能描述:微處理器 - MPU PQ 37 LITE 8555E RoHS:否 制造商:Atmel 處理器系列:SAMA5D31 核心:ARM Cortex A5 數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit 最大時(shí)鐘頻率:536 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:32 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:128 KB 接口類(lèi)型:CAN, Ethernet, LIN, SPI,TWI, UART, USB 工作電源電壓:1.8 V to 3.3 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-324 |
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