參數(shù)資料
型號(hào)： MPQ7093
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Quad Amplifier Transistors
中文描述： 0.5 A, 250 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 84K
代理商： MPQ7093
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
PNP Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
MPQ7091
MPQ7093
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
VCBO
VEBO
IC
–150
–250
Vdc
Collector–Base Voltage
–150
–250
Vdc
Emitter–Base Voltage
–5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
–500
mAdc
Each Die
Four Die
Equal
Power
Total Device Dissipation
@ TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
750
5.98
1700
13.6
mW
mW/
°
C
Total Device Dissipation
@ TC = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
1.25
10
3.2
25.6
Watts
mW/
°
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Junction to
Case
Junction to
Ambient
Unit
Thermal Resistance
Each Die
Effective, 4 Die
100
39
167
73.5
°
C/W
°
C/W
Coupling Factors
Q1–Q4 or Q2–Q3
Q1–Q2 or Q3–Q4
46
5.0
56
10
%
%
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = –1.0 mAdc, IB = 0)
MPQ7091
MPQ7093
V(BR)CEO
–150
–250
—
—
—
—
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = –100 Adc, IE = 0)
MPQ7091
MPQ7093
V(BR)CBO
–150
–250
—
—
—
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = –100 Adc, IC = 0)
V(BR)EBO
–5.0
—
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = –120 Vdc, IE = 0)
MPQ7091
MPQ7093
ICBO
—
—
—
—
–250
–250
nAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = –3.0 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
—
–100
nAdc
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
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by MPQ7091/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
CASE 646–06, STYLE 1
TO–116
1
14
*Motorola Preferred Device
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
COMPLEMENTARY
TYPE B
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PDF描述
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