參數(shù)資料
型號(hào)： MPS2907
廠(chǎng)商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： General Purpose Transistors(PNP Silicon)
中文描述： 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大小： 245K
代理商： MPS2907
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = –0.1 mAdc, VCE = –10 Vdc)
MPS2907
MPS2907A
MPS2907
MPS2907A
MPS2907
MPS2907A
MPS2907, MPS2907A
MPS2907
MPS2907A
(IC = –1.0 mAdc, VCE = –10 Vdc)
(IC = –10 mAdc, VCE = –10 Vdc)
(IC = –150 mAdc, VCE = –10 Vdc)(1)
(IC = –500 mAdc, VCE = –10 Vdc)(1)
hFE
35
75
50
100
75
100
100
30
50
—
—
—
—
—
—
300
—
—
—
Collector–Emitter Saturation Voltage(1)
(IC = –150 mAdc, IB = –15 mAdc)
(IC = –500 mAdc, IB = –50 mAdc)
Base–Emitter Saturation Voltage(1)
(IC = –150 mAdc, IB = –15 mAdc)
(IC = –500 mAdc, IB = –50 mAdc)
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
Current–Gain — Bandwidth Product(1), (2)
(IC = –50 mAdc, VCE = –20 Vdc, f = 100 MHz)
VCE(sat)
—
—
–0.4
–1.6
Vdc
VBE(sat)
—
—
–1.3
–2.6
Vdc
fT
200
—
MHz
Output Capacitance
(VCB = –10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cobo
—
8.0
pF
Input Capacitance
(VEB = –2.0 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz)
SWITCHING CHARACTERISTICS
Cibo
—
30
pF
Turn–On Time
(VCC = –30 Vdc, IC = –150 mAdc,
IB1 = –15 mAdc) (Figures 1 and 5)
ton
td
tr
toff
—
45
ns
Delay Time
—
10
ns
Rise Time
—
40
ns
Turn–Off Time
(VCC = –6.0 Vdc, IC = –150 mAdc,
IB1 = IB2 = 15 mAdc) (Figure 2)
—
100
ns
Storage Time
ts
tf
—
80
ns
Fall Time
—
30
ns
1. Pulse Test: Pulse Width
2. fT is defined as the frequency at which |hfe| extrapolates to unity.
300 s, Duty Cycle
2.0%.
0
0
–16 V
200 ns
50
1.0 k
200
–30 V
TO OSCILLOSCOPE
RISE TIME
≤
5.0 ns
+15 V
–6.0 V
1.0 k
37
50
1N916
1.0 k
200 ns
–30 V
TO OSCILLOSCOPE
RISE TIME
≤
5.0 ns
INPUT
Zo = 50
PRF = 150 PPS
RISE TIME
≤
2.0 ns
P.W. < 200 ns
INPUT
Zo = 50
PRF = 150 PPS
RISE TIME
≤
2.0 ns
P.W. < 200 ns
Figure 1. Delay and Rise Time Test Circuit
Figure 2. Storage and Fall Time Test Circuit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPS2907A General Purpose Transistors
MPS3563 Amplifier Transistors
MPS3563 Amplifier Transistors(NPN Silicon)
MPS918 Amplifier Transistors(NPN Silicon)
MPS918 Amplifier Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPS2907A 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS2907A\E6 功能描述:兩極晶體管 - BJT REORD 511-PN2907A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS2907A_10 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors
MPS2907AG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS2907AG 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠(chǎng)商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*