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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MPS2907A |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) |
| 中文描述： | 進(jìn)步黨（通用晶體管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 245K |
| 代理商： | MPS2907A |
3
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 3. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.3
0.5
0.7
1.0
3.0
0.2
–0.1
TJ = 125
°
C
25
°
C
–55
°
C
VCE = –1.0 V
VCE = –10 V
h
2.0
–0.2
–0.3
–0.5 –0.7
–1.0
–2.0
–3.0
–5.0 –7.0
–10
–20
–30
–50 –70
–100
–200
–300
–500
Figure 4. Collector Saturation Region
IB, BASE CURRENT (mA)
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
–0.2
V
0
C
IC = –1.0 mA
–0.005
–10 mA
–0.01
–100 mA
–500 mA
–0.02 –0.03
–0.05 –0.07 –0.1
–0.2
–0.3
–0.5 –0.7 –1.0
–2.0
–3.0
–5.0 –7.0
–10
–20
–30
–50
Figure 5. Turn–On Time
IC, COLLECTOR CURRENT
300
200
–5.0
Figure 6. Turn–Off Time
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
–5.0
t
t
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
–7.0 –10
–20
–30
–50 –70 –100
–200 –300
–500
tr
2.0 V
td @ VBE(off) = 0 V
VCC = –30 V
IC/IB = 10
TJ = 25
°
C
500
300
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
–7.0 –10
–20
–30
–50 –70 –100
–200 –300 –500
200
tf
t
′
s = ts – 1/8 tf
VCC = –30 V
IC/IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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