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參數(shù)資料
| 型號： | MPS4124RL |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/33頁 |
| 文件大?。?/td> | 293K |
| 代理商： | MPS4124RL |
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2–572
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Amplifier Transistor
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector – Emitter Voltage
VCE
25
Vdc
Collector – Base Voltage
VCB
30
Vdc
Emitter – Base Voltage
VEB
5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
200
mAdc
Total Power Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
625
5.0
mW
mW/
°C
Total Power Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25
°C
PD
1.5
12
W
mW/
°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
200
°C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
RqJC
83.3
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage
(IC = 1.0 mA, IB = 0)
V(BR)CEO
25
—
Vdc
Collector – Base Breakdown Voltage
(IC = 10 mA, IE = 0)
V(BR)CBO
30
—
Vdc
Emitter – Base Breakdown Voltage
(IC = 0, IE = 10 mA)
V(BR)EBO
5.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 20 V, IE = 0)
ICBO
—
50
nAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 3.0 V, IC = 0)
IEBO
—
50
nAdc
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MPS4124
CASE 29–04, STYLE 1
TO–92 (TO–226AA)
1
2
3
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
(Replaces MPS4123/D)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS4124ZL1 | 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS4124RL1 | 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS4124RLRM | 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS4250RLRM | 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS4250RLRE | 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPS4124RLRA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS4124RLRAG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS4125 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:Amplifier Transistors |
| MPS4126 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistor PNP Silicon |
| MPS4126_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistor PNP Silicon |
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