參數(shù)資料
型號(hào)： MPS4126
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Amplifier Transistor
中文描述： 200 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 58K
代理商： MPS4126
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
PNP Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCE
VCB
VEB
IC
PD
–25
Vdc
Collector–Base Voltage
–25
Vdc
Emitter–Base Voltage
–4.0
Vdc
Collector Current — Continuous
–200
mAdc
Total Power Dissipation @ TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
625
5.0
mW
mW/
°
C
Total Power Dissipation @ TC = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
1.5
12
W
mW/
°
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RJA
RJC
200
°
C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
83.3
°
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = –1.0 mA, IB = 0)
V(BR)CEO
–25
—
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = –10 A, IE = 0)
V(BR)CBO
–25
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IC = 0, IE = –10 A)
V(BR)EBO
–4.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = –20 V, IE = 0)
ICBO
—
–50
nAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = –3.0 V, IC = 0)
IEBO
—
–50
nAdc
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by MPS4126/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
CASE 29–04, STYLE 1
TO–92 (TO–226AA)
1
23
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
(Replaces MPS4125/D)
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