參數(shù)資料
型號: MPS6507RL1
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
文件頁數(shù): 5/32頁
文件大小: 289K
代理商: MPS6507RL1
7–13
Surface Mount Information
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
SOT–363
(SC–70 6 LEAD)
0.5 mm (min)
0.4
mm
(min)
0.65
mm
0.65
mm
1.9 mm
SOD–123
mm
inches
0.91
0.036
1.22
0.048
2.36
0.093
4.19
0.165
inches
mm
0.028
0.7
0.074
1.9
0.037
0.95
0.037
0.95
0.094
2.4
0.039
1.0
TSOP–6
相關PDF資料
PDF描述
MPS6507ZL1 Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS650RL 2000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS650RL1 2000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS651RLRE 2000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS651RL1 2000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MPS650G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS650G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor Transistor Polarity:S
MPS650RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS650RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS650ZL1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2