參數(shù)資料
型號： MPS6520
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： NPN (AMPLIFIER TRANSISTOR)
中文描述： npn型（放大器晶體管）
文件頁數(shù)： 8/12頁
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代理商： MPS6520
8
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
PNP
MPS6523
TYPICAL NOISE CHARACTERISTICS
(VCE = –5.0 Vdc, TA = 25
°
C)
Figure 21. Noise Voltage
f, FREQUENCY (Hz)
5.0
7.0
10
3.0
Figure 22. Noise Current
f, FREQUENCY (Hz)
1.0
10
20
50
100
200
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10 k
1.0
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.1
BANDWIDTH = 1.0 Hz
RS
≈
0
IC = 10
μ
A
100
μ
A
300
μ
A
e
I
30
μ
A
BANDWIDTH = 1.0 Hz
RS
≈ ∞
IC = 1.0 mA
300
μ
A
100
μ
A
30
μ
A
10
μ
A
10
20
50
100
200
500
1.0 k 2.0 k
5.0 k
10 k
2.0
1.0 mA
0.2
NOISE FIGURE CONTOURS
(VCE = –5.0 Vdc, TA = 25
°
C)
500 k
100
200
500
1.0 k
10 k
5.0 k
20 k
50 k
100 k
200 k
2.0 k
1.0 M
500 k
100
200
500
1.0 k
10 k
5.0 k
20 k
50 k
100 k
200 k
2.0 k
1.0 M
Figure 23. Narrow Band, 100 Hz
IC, COLLECTOR CURRENT (
μ
A)
Figure 24. Narrow Band, 1.0 kHz
IC, COLLECTOR CURRENT (
μ
A)
10
0.5 dB
BANDWIDTH = 1.0 Hz
R
R
Figure 25. Wideband
IC, COLLECTOR CURRENT (
μ
A)
10
10 Hz to 15.7 kHz
R
Noise Figure is Defined as:
NF
20 log10
en2
4KTRS
4KTRS
In2RS2
1 2
= Noise Voltage of the Transistor referred to the input. (Figure 3)
= Noise Current of the Transistor referred to the input. (Figure 4)
= Boltzman’s Constant (1.38 x 10–23 j/
°
K)
= Temperature of the Source Resistance (
°
K)
= Source Resistance (Ohms)
en
In
K
T
RS
1.0 dB
2.0 dB
3.0 dB
5.0 dB
20
30
50
70
100
200 300
500 700 1.0 k
10
20
30
50 70
100
200 300
500 700 1.0 k
500 k
100
200
500
1.0 k
10 k
5.0 k
20 k
50 k
100 k
200 k
2.0 k
1.0 M
20
30
50
70
100
200 300
500 700 1.0 k
BANDWIDTH = 1.0 Hz
0.5 dB
1.0 dB
2.0 dB
3.0 dB
5.0 dB
0.5 dB
1.0 dB
2.0 dB
3.0 dB
5.0 dB
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