參數(shù)資料
型號(hào)： MPS6601
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： NPN (AMPLIFIER TRANSISTOR)
中文描述： npn型（放大器晶體管）
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 246K
代理商： MPS6601
3
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 2. MPS6601/6602 DC Current Gain
Figure 3. MPS6651/6652 DC Current Gain
Figure 4. Current Gain Bandwidth Product
Figure 5. Current Gain Bandwidth Product
Figure 6. On Voltages
Figure 7. On Voltages
100
1000
10
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
300
200
100
70
50
30
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
–100
–1000
–10
200
100
70
50
20
100
1000
10
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
300
200
100
70
50
30
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
–100
–1000
–10
300
200
100
70
50
30
–200
200
10
1000
1.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
–10
–1000
–1.0
–1.0
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
0
–100
100
TJ = 25
°
C
TJ = 25
°
C
VCE = 1.0 V
TJ = 25
°
C
VCE = –1.0 V
TJ = 25
°
C
VCE = 10 V
TJ = 25
°
C
f = 30 MHz
VCE = –10 V
TJ = 25
°
C
f = 30 MHz
f
V
V
NPN
PNP
VBE(SAT) @ IC/IB = 10
VCE(SAT) @ IC/IB = 10
VBE(ON) @ VCE = 1.0 V
VBE(SAT) @ IC/IB = 10
VCE(SAT) @ IC/IB = 10
VBE(ON) @ VCE = –1.0 V
f
F
h
h
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPS6602 NPN (AMPLIFIER TRANSISTOR)
MPS6651 PNP (AMPLIFIER TRANSISTOR)
MPS6601 Amplifier Transistors
MPS6602 Amplifier Transistors
MPS6651 Amplifier Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPS6601_07 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistors
MPS6601G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 25V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6601RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 25V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6601RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 25V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6602 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*