參數(shù)資料
型號(hào)： MPS6602
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： NPN (AMPLIFIER TRANSISTOR)
中文描述： npn型（放大器晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 246K
代理商： MPS6602
5
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 14. Base–Emitter Temperature
Coefficient
Figure 15. Base–Emitter Temperature
Coefficient
Figure 16. Safe Operating Area
Figure 17. Safe Operating Area
Figure 18. MPS6601/6602 Saturation Region
Figure 19. MPS6651/6652 Saturation Region
100
1000
1.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
–2.4
–2.8
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
–100
–1000
–1.0
–1.2
–1.6
–2.0
–2.4
–2.8
10
1.0
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE
500
200
100
50
20
10
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE
–10
–40
–1.0
–500
–200
–100
–50
–20
–10
–20
20
0.1
10
0.01
IB, BASE CURRENT (mA)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
IB, BASE CURRENT (mA)
–0.1
–100
–0.01
–1.0
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
0
–1.0
1.0
TJ = 25
°
C
R
I
NPN
PNP
10
RVB for VBE
°
R
°
–10
–0.8
RVB for VBE
–2.0
–5.0
–1 k
2.0
5.0
40
1 k
I
–10
100
IC =
100 mA
IC =
50 mA
IC =
250 mA
IC =
500 mA
IC =
1000 mA
IC =
10 mA
TJ = 25
°
C
IC =
–100 mA
IC =
–50 mA
IC =
–250 mA
IC =
–500 mA
IC =
–1000 mA
IC =
–10 mA
1.0 MS
1.0 s
TC = 25
°
C
MPS6601
MPS6602
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
1.0 MS
1.0 s
TC = 25
°
C
MPS6651
MPS6652
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
,
V
,
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPS6651 PNP (AMPLIFIER TRANSISTOR)
MPS6601 Amplifier Transistors
MPS6602 Amplifier Transistors
MPS6651 Amplifier Transistors
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參數(shù)描述
MPS6602G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6602RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6602RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS66-1000 功能描述:以太網(wǎng)和電信連接器 6P6C SHIELDED RoHS:否 制造商:Pulse 產(chǎn)品:Modular Jacks 性能類(lèi)別: USOC 代碼:RJ45 位置/觸點(diǎn)數(shù)量: 安裝風(fēng)格:Through Hole 端口數(shù)量:1 x 1 型式:Female 屏蔽: 電流額定值: 電壓額定值: 觸點(diǎn)電鍍: 外殼材料:Thermoplastic IP 等級(jí):
MPS6651 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 25V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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