參數(shù)資料
型號(hào)： MPS6727
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： One Watt Amplifier Transistor(PNP Silicon)
中文描述： 1000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： CASE 29-05, TO-226AE, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 87K
代理商： MPS6727
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
ON CHARACTERISTICS(1)
Symbol
Min
Max
Unit
DC Current Gain
(IC = –100 mAdc, VCE = –1.0 Vdc)
(IC = –1000 mAdc, VCE = –1.0 Vdc)
hFE
60
50
—
250
—
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = –1000 mAdc, IB = –100 mAdc)
VCE(sat)
—
–0.5
Vdc
Base–Emitter On Voltage
(IC = –1000 mAdc, VCE = –1.0 Vdc)
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
VBE(on)
—
–1.2
Vdc
Collector–Base Capacitance
(VCB = –10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Ccb
—
30
pF
Small–Signal Current Gain
(IC = –50 mAdc, VCE = –10 Vdc, f = 20 MHz)
hfe
2.5
25
—
1. Pulse Test: Pulse Width
300 s; Duty Cycle
2.0%.
Figure 1. DC Current Gain
Figure 2. Collector Saturation Region
Figure 3. “ON” Voltages
Figure 4. Temperature Coefficient
–1000
–10
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
200
100
70
IB, BASE CURRENT (mA)
–5.0
–50
–0.6
–0.2
0
–100
–500
–1.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0
–1.0
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
–2.4
–2.8
–200
h
,
V
V
50
20
–100
–20
–50
–200
–500
–10 –20
–0.05 –0.1 –0.2
–2.0
–0.4
–0.8
–1.0
–2.0
–5.0
–10
–20
–50
TJ = 25
°
C
VBE(SAT) @ IC/IB = 10
–0.01
–0.5 –1.0
–0.02
–100
–1000
–100
–500
–1.0
–200
–2.0
–5.0
–10
–20
–50
VB for VBE
–1000
V
B
°
,
VCE = –1.0 V
TJ = 25
°
C
VCE(SAT) @ IC/IB = 10
VBE(ON) @ VCE = –1.0 V
TJ = 25
°
C
IC =
–100
mA
IC =
–50 mA
IC =
–1000 mA
IC =
–10 mA
IC =
–500 mA
IC =
–250
mA
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PDF描述
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