參數資料
型號： MPS750
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Amplifier Transistors
中文描述： 2000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA
文件頁數： 2/4頁
文件大小： 173K
代理商： MPS750
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25
°
C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS(1)
DC Current Gain
(IC = 50 mA, VCE = 2.0 V)
(IC = 500 mA, VCE = 2.0 V)
(IC = 1.0 A, VCE = 2.0 V)
(IC = 2.0 A, VCE = 2.0 V)
hFE
75
75
75
40
—
—
—
—
—
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 2.0 A, IB = 200 mA)
(IC = 1.0 A, IB = 100 mA)
VCE(sat)
—
—
0.5
0.3
Vdc
Base–Emitter On Voltage (IC = 1.0 A, VCE = 2.0 V)
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 1.0 A, IB = 100 mA)
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
Current–Gain — Bandwidth Product(2)
(IC = 50 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, f = 100 MHz)
VBE(on)
VBE(sat)
—
1.0
Vdc
—
1.2
Vdc
fT
75
—
MHz
1. Pulse Test: Pulse Width
≤
300 s, Duty Cycle = 2.0%.
2. fT is defined as the frequency at which |hfe| extrapolates to unity.
Figure 1. MPS650, MPS651
Typical DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
10
h
300
270
0
VCE = 2.0 V
TJ = 125
°
C
25
°
C
–55
°
C
NPN
IC, 0
–10
–20
–50
–10
–200
–500
h
250
225
0
PNP
30
60
90
120
150
180
210
240
20
50
100
200
500
1.0 A
2.0 A 4.0 A
25
50
75
100
125
200
175
150
–1.0 A –2.0 A–4.0 A
VCE = –2.0 V
TJ = 125
°
C
25
°
C
–55
°
C
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
50
V
2.0
0
IC, C0
V
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VBE(on) @ VCE = 2.0 V
VCE(sat) @ IC/IB = 10
0
Figure 2. MPS750, MPS751
Typical DC Current Gain
Figure 3. MPS650, MPS651
On Voltages
Figure 4. MPS750, MPS751
On Voltages
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.4
0.8
0.6
0.2
100
200
500
1.0 A
2.0 A
4.0 A
–50
–2.0
–1.8
–1.6
–1.4
–1.2
–1.0
–0.4
–0.8
–0.6
–0.2
–10
0
–20
–50
0
–1.0 A
–2.0 A
–4.0 A
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
NPN
PNP
VBE(on) @ VCE = 2.0 V
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