參數(shù)資料
型號： MPS8099
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Amplifier Transistors
中文描述： 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 248K
代理商： MPS8099
5
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 14. MPS8098/99 Collector Saturation
Region
Figure 15. MPS8598/99 Collector Saturation
Region
Figure 16. MPS8098/99 Base–Emitter
Temperature Coefficient
Figure 17. MPS8598/99 Base–Emitter
Temperature Coefficient
100
0.5
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
–1.0
–1.4
–1.8
–2.2
–2.6
–3.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
IB, BASE CURRENT (mA)
IB, BASE CURRENT (mA)
R
NPN
PNP
10
RVB FOR VBE
°
R
°
,
V
,
V
1.0
2.0
5.0
20
50
200
100
0.2
10
1.0
2.0
5.0
20
50
200
0.1
10
0.05
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
1.0
TJ = 25
°
C
IC =
100 mA
IC =
50 mA
IC =
200 mA
IC =
20 mA
IC =
10 mA
20
2.0
5.0
0.2
0.5
0.2
–55
°
C TO 125
°
C
–1.0
–1.4
–1.8
–2.2
–2.6
–3.0
RVB FOR VBE
–55
°
C TO 125
°
C
0.5
0.02
0.1
10
0.05
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
1.0
TJ = 25
°
C
IC =
100 mA
IC =
50 mA
IC =
200 mA
IC =
20 mA
IC =
10 mA
20
2.0
5.0
0.2
0.5
0.02
Figure 18. MPS8098, MPS8099, MPS8598 and MPS8599 Thermal Response
t, TIME (ms)
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10 k
20 k
50 k
100 k
0.03
0.02
0.1
0.07
0.05
0.01
0.3
0.2
1.0
0.7
0.5
r
T
Z
θ
JC(t) = r(t)
R
θ
JC
TJ(pk) – TC = P(pk) Z
θ
JC(t)
Z
θ
JA(t) = r(t)
R
θ
JA
TJ(pk) – TA = P(pk) Z
θ
JA(t)
D CURVES APPLY FOR
POWER PULSE TRAIN
SHOWN READ TIME AT t1
(SEE AN469)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
P(pk)
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
SINGLE PULSE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPS8598 Amplifier Transistors
MPS8099 Amplifier Transistors
MPS8598 Amplifier Transistors
MPSA05 150,000 SYSTEM GATE 1.8 VOLT FPGA - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
MPSA05 Mini size of Discrete semiconductor elements
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPS8099_08 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistors
MPS8099G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS8099RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS8099RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS8099RLRM 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*