參數(shù)資料
型號(hào)： MPS8598
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： PNP (AMPLIFIER TRANSISTOR)
中文描述： 進(jìn)步黨（放大器晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 248K
代理商： MPS8598
5
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 14. MPS8098/99 Collector Saturation
Region
Figure 15. MPS8598/99 Collector Saturation
Region
Figure 16. MPS8098/99 Base–Emitter
Temperature Coefficient
Figure 17. MPS8598/99 Base–Emitter
Temperature Coefficient
100
0.5
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
–1.0
–1.4
–1.8
–2.2
–2.6
–3.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
IB, BASE CURRENT (mA)
IB, BASE CURRENT (mA)
R
NPN
PNP
10
RVB FOR VBE
°
R
°
,
V
,
V
1.0
2.0
5.0
20
50
200
100
0.2
10
1.0
2.0
5.0
20
50
200
0.1
10
0.05
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
1.0
TJ = 25
°
C
IC =
100 mA
IC =
50 mA
IC =
200 mA
IC =
20 mA
IC =
10 mA
20
2.0
5.0
0.2
0.5
0.2
–55
°
C TO 125
°
C
–1.0
–1.4
–1.8
–2.2
–2.6
–3.0
RVB FOR VBE
–55
°
C TO 125
°
C
0.5
0.02
0.1
10
0.05
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
1.0
TJ = 25
°
C
IC =
100 mA
IC =
50 mA
IC =
200 mA
IC =
20 mA
IC =
10 mA
20
2.0
5.0
0.2
0.5
0.02
Figure 18. MPS8098, MPS8099, MPS8598 and MPS8599 Thermal Response
t, TIME (ms)
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10 k
20 k
50 k
100 k
0.03
0.02
0.1
0.07
0.05
0.01
0.3
0.2
1.0
0.7
0.5
r
T
Z
θ
JC(t) = r(t)
R
θ
JC
TJ(pk) – TC = P(pk) Z
θ
JC(t)
Z
θ
JA(t) = r(t)
R
θ
JA
TJ(pk) – TA = P(pk) Z
θ
JA(t)
D CURVES APPLY FOR
POWER PULSE TRAIN
SHOWN READ TIME AT t1
(SEE AN469)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
P(pk)
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
SINGLE PULSE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPS8599 PNP (AMPLIFIER TRANSISTOR)
MPS8099 Mini size of Discrete semiconductor elements
MPS8599 Mini size of Discrete semiconductor elements
MPS8099 Amplifier Transistors
MPS8598 Amplifier Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPS8598_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS8598G 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors
MPS8598RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS8598RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS8599 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*