參數(shù)資料
型號(hào)： MPS8598RLRA
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Amplifier Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors
中文描述： 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 90K
代理商： MPS8598RLRA
(NPN) MPS8098, MPS8099*, (PNP) MPS8598, MPS8599*
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Breakdown Voltage (Note 2)
(I
C
= 10 mAdc, I
B
= 0)
MPS8098, MPS8598
MPS8099, MPS8599
V
(BR)CEO
60
80
Vdc
CollectorBase Breakdown Voltage
(I
C
= 100 Adc, I
E
= 0)
MPS8098, MPS8598
MPS8099, MPS8599
V
(BR)CBO
60
80
Vdc
EmitterBase Breakdown Voltage
(I
E
= 10 Adc, I
C
= 0)
MPS8098, MPS8099
MPS8598, MPS8599
V
(BR)EBO
6.0
5.0
Vdc
Collector Cutoff Current
(V
CE
= 60 Vdc, I
B
= 0)
I
CES
0.1
Adc
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 60 Vdc, I
E
= 0)
(V
CB
= 80 Vdc, I
E
= 0)
MPS8098, MPS8598
MPS8099, MPS8599
I
CBO
0.1
0.1
Adc
Emitter Cutoff Current
(V
EB
= 6.0 Vdc, I
C
= 0)
(V
EB
= 4.0 Vdc, I
C
= 0)
MPS8098, MPS8099
MPS8598, MPS8599
I
EBO
0.1
0.1
Adc
ON CHARACTERISTICS
(Note 2)
DC Current Gain
(I
C
= 1.0 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc)
(I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc)
(I
C
= 100 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc)
h
FE
100
100
75
300
CollectorEmitter Saturation Voltage
(I
C
= 100 mAdc, I
B
= 5.0 mAdc)
(I
C
= 100 mAdc, I
B
= 10 mAdc)
V
CE(sat)
0.4
0.3
Vdc
BaseEmitter On Voltage
(I
C
= 1.0 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc)
(I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc)
MPS8098, MPS8598
MPS8099, MPS8599
V
BE(on)
0.5
0.6
0.7
0.8
Vdc
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
CurrentGain Bandwidth Product
(I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc, f = 100 MHz)
f
T
150
MHz
Output Capacitance
(V
CB
= 5.0 Vdc, I
E
= 0, f = 1.0 MHz)
MPS8098, MPS8099
MPS8598, MPS8599
C
obo
6.0
8.0
pF
Input Capacitance
(V
EB
= 0.5 Vdc, I
C
= 0, f = 1.0 MHz)
MPS8098, MPS8099
MPS8598, MPS8599
C
ibo
25
30
pF
2. Pulse Test: Pulse Width
300 s, Duty Cycle = 2.0%.
Figure 1. MPS8098, MPS8099, MPS8598 and MPS8599 Thermal Response
t, TIME (ms)
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10 k
20 k
50 k 100 k
0.03
0.02
0.1
0.07
0.05
0.01
0.3
0.2
1.0
0.7
0.5
r
T
Z
JC
(t) = r(t)
R
JC
T
J(pk)
T
C
= P
(pk)
Z
JC
(t)
Z
JA
(t) = r(t)
R
JA
T
J(pk)
T
A
= P
(pk)
Z
JA
(t)
D CURVES APPLY FOR
POWER PULSE TRAIN
SHOWN READ TIME AT t
1
(SEE AN469)
t
1
t
2
DUTY CYCLE, D = t
1
/t
2
P
(pk)
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
SINGLE PULSE
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PDF描述
MPS8598RLRAG Amplifier Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors
MPS8599G Amplifier Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors
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MPSA12G Darlington Transistors NPN Silicon
MPSA12RLRA Darlington Transistors NPN Silicon
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參數(shù)描述
MPS8598RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS8599 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS8599G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS8599RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS8599RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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