- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄359196 > MPSA05DA TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | CHIP PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MPSA05DA |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | CHIP |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 60V的五（巴西）總裁|芯片 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 83K |
| 代理商： | MPSA05DA |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA05DB | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | CHIP |
| ZTX451DA | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZTX451DB | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZTX451DC | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZTX451M1 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPSA05DB | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | CHIP |
| MPSA05DC | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | CHIP |
| MPSA05G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA05RA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA05RLRA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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