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參數(shù)資料
| 型號： | MPSA06 |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | NPN General Purpose Transistor(通用NPN晶體管) |
| 中文描述： | npn型通用晶體管（通用npn型晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 66K |
| 代理商： | MPSA06 |
SSTA06 / MMSTA06 / MPSA06
Transistors
1
10
100
1000
0.8
1.2
1.8
1.6
0.4
0.6
1.0
1.4
0.2
0
B
B
V
COLLECTOR CURRENT : I
C
(
mA)
Ta=25
C
V
CE
=5V
Ta=
40
C
125
C
25
C
Fig.6 Grounded emitter propagation
characteristics
0.5
1
REVERSE BIAS VOLTAGE (
V)
2
5
10
20
50
10
100
C
p
Ta=25
C
f=1MHz
Cib
Cob
Fig.7 Input / output capacitance
vs. voltage
1
10
100
1000
100
1000
C
T
M
10
COLLECTOR CURRENT : I
C
(
mA)
Ta=25
C
V
CE
=5V
Fig.8 Gain bandwidth product
vs. collector current
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| MPSA06,126 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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