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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MPSA13DB |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 30V V(BR)CEO | CHIP |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|達(dá)林頓|叩| 30V的五（巴西）總裁|芯片 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 81K |
| 代理商： | MPSA13DB |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA13DC | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 30V V(BR)CEO | CHIP |
| MPSA14DA | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | CHIP |
| MPSA14DB | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 30V V(BR)CEO | CHIP |
| MPSA14DC | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 30V V(BR)CEO | CHIP |
| MPSA92DC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | CHIP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPSA13DC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 30V V(BR)CEO | CHIP |
| MPSA13G | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 500mA 30V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSA13G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| MPSA13RA | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSA13RA_Q | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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