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參數(shù)資料
| 型號： | MPSA29 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN Darlington Transistor(NPN達林頓晶體管) |
| 中文描述： | 800 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 23K |
| 代理商： | MPSA29 |
M
NPN Darlington Transistor
(continued)
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CES
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
V
(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cutoff Current
I
CES
Collector Cutoff Current
I
EBO
Emitter Cutoff Current
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
I
C
= 100
μ
A, I
B
= 0
I
C
= 100
μ
A, I
E
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= 80 V, I
E
= 0
V
CE
= 80 V, I
E
= 0
V
EB
= 10 V, I
C
= 0
100
100
12
V
V
V
nA
nA
nA
100
500
100
ON CHARACTERISTICS*
h
FE
DC Current Gain
V
CE
= 5.0 V, I
C
= 10 mA
V
CE
= 5.0 V, I
C
= 100 mA
I
C
= 10 mA, I
B
= 0.01 mA
I
C
= 100 mA, I
B
= 0.1 mA
I
C
= 100 mA, V
CE
= 5.0 V
10,000
10,000
V
CE(
sat
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.2
1.5
2.0
V
V
V
V
BE(
on
)
Base-Emitter On Voltage
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
f
T
Current Gain - Bandwidth Product
I
= 10 mA, V
CE
= 5.0 V,
f = 100 MHz
V
CB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1.0 MHz
125
MHz
C
obo
Output Capacitance
8.0
pF
*
Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA42 | NPN High Voltage Amplifier(NPN高電壓放大器) |
| MPSA43 | NPN High Voltage Amplifier(NPN高電壓放大器) |
| MPSA63 | PNP General Purpose Amplifier(PNP通用放大器) |
| MPSA64 | PNP Darlington Transistor(PNP達林頓晶體管) |
| MPSA65 | PNP Darlington Transistor(PNP達林頓晶體管) |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPS-A29 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92 |
| MPSA29 D27Z | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Small Signal Bipolar Transistor |
| MPSA29_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Darlington Transistor |
| MPSA29_D26Z | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSA29_D27Z | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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