參數(shù)資料
型號(hào)： MPSA43
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN High Voltage Amplifier(NPN高電壓放大器)
中文描述： 200 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-92, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 27K
代理商： MPSA43
NPN High Voltage Amplifier
(continued)
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
V
(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector-Cutoff Current
I
EBO
Emitter-Cutoff Current
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
I
C
= 1.0 mA, I
B
= 0
I
C
= 100
μ
A, I
E
= 0
I
E
= 100
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= 160 V, I
E
= 0
V
EB
= 4.0 V, I
C
= 0
200
200
6.0
V
V
V
μ
A
μ
A
0.1
0.1
ON CHARACTERISTICS*
h
FE
DC Current Gain
I
C
= 1.0 mA, V
CE
= 10 V
I
C
= 10 mA, V
CE
= 10 V
I
C
= 30 mA, V
CE
= 10 V
I
C
= 20 mA, I
B
= 2.0 mA
I
C
= 20 mA, I
B
= 2.0 mA
25
40
50
200
0.4
0.9
V
CE(
sat
)
V
BE(
sat
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
V
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
f
T
Current Gain - Bandwidth Product
*
Pulse Test: Pulse Width
￡
300
m
s, Duty Cycle
￡
2.0%
I
= 10 mA, V
CE
= 20 V,
f = 100 MHz
V
CB
= 20 V, I
E
= 0, f = 1.0 MHz
50
MHz
C
cb
Collector-Base Capacitance
4.0
pF
M
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PDF描述
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