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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MPSA56D27Z |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/15頁(yè) |
| 文件大小： | 1073K |
| 代理商： | MPSA56D27Z |
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3
www.fairchildsemi.com
MPSA56/MMBTA56/PZTA56 Rev. 1.0.2
MPSA56/MMBT
A56/PZT
A56
PNP
General
Purpose
Amplier
Typical Characteristics
Collector-Cutoff Current
vs Ambient Temperature
25
50
75
100
125
-0.001
-0.01
-0.1
-1
-10
T - AMBIENT TEMPERATURE (
°C)
I
-C
O
LL
EC
TO
R
CUR
R
E
N
T
(
n
A)
A
CB
O
V
= -60V
CB
Input and Output Capacitance
vs Reverse Voltage
-0.1
-1
-10
-100
100
V
- COLLECTOR VOLTAGE (V)
CA
PA
C
IT
A
NC
E
(
p
F
)
C
f = 1.0 MHz
CE
ib
Cob
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collect or Current
-10
-100
-1000
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-1.2
I - COLLECTOR CURRE NT (mA)
V
-
B
A
S
E
M
IT
T
E
R
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
C
BE
S
A
T
ββ = 10
- 40
°C
125
°C
25
°C
Base Emitter ON Voltage vs
Collect or Curre nt
-0.1
-1
-10
-100
-1000
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-1.2
I - COLLECTOR CURRE NT (mA)
V
-
B
A
S
E
M
IT
T
E
R
O
N
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
C
BE
(
O
N)
V
= -1V
CE
- 40
°C
125
°C
25
°C
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Curren
-0.001
-0.01
-0.1
-1
50
100
150
200
250
300
- COLLECTOR CURRENT (A)
h
-
TY
P
IC
A
L
P
U
LS
E
D
C
U
R
E
N
T
G
A
IN
FE
- 40
°C
V
= -1V
CE
125
°C
25
°C
Collector-Emitt er Saturation
Voltage vs Collect or Current
-1
-100
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
I - COLLECTOR CURRE NT (mA)
V
-
C
O
L
EC
T
O
R
EM
IT
T
E
R
VO
L
T
A
G
E
(
V
)
C
I
C
CE
S
AT
ββ = 10
- 40
°C
125
°C
25
°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA56D26Z | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA56J05Z | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA56J18Z | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA56D75Z | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MMBTA63LT3 | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPSA56DA | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | CHIP |
| MPSA56DB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | CHIP |
| MPSA56DC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | CHIP |
| MPSA56G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA56G-T92-B | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:PNP MPSA56 |
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