參數(shù)資料
型號(hào)： MPSA56RLRE
廠(chǎng)商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 32/36頁(yè)
文件大?。?/td> 385K
代理商： MPSA56RLRE
NPN MPSA05 MPSA06 PNP MPSA55 MPSA56
2–623
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 14. MPSA05/06 Collector Saturation
Region
Figure 15. MPSA55/56 Collector Saturation
Region
Figure 16. MPSA05/06 Base–Emitter
Temperature Coefficient
Figure 17. MPSA55/56 Base–Emitter
Temperature Coefficient
100
500
0.5
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
–2.4
–2.8
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.1
10
0.05
IB, BASE CURRENT (mA)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
IB, BASE CURRENT (mA)
1.0
TJ = 25°C
R
VB
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENT
(mV/
C)
10
RqVB for VBE
q
°
R
VB
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENT
(mV/
C)
q
°
50
IC =
100 mA
IC =
50 mA
IC =
250 mA
IC =
500 mA
IC =
10 mA
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
V
CE
1.0
2.0
5.0
20
50
200
20
2.0
5.0
0.2
0.5
–100
–500
–0.5
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
–2.4
–2.8
–10
RqVB for VBE
–1.0 –2.0
–5.0
–20
–50
–200
–0.1
–10
–0.05
–1.0
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
0
–1.0
TJ = 25°C
–50
IC =
–100 mA
IC =
–50 mA
IC =
–250 mA
IC =
–500 mA
IC =
–10 mA
–20
–2.0
–5.0
–0.2
–0.5
Figure 18. MPSA05, MPSA06, MPSA55 and MPSA56 Thermal Response
t, TIME (ms)
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10 k
20 k
50 k
100 k
0.03
0.02
0.1
0.07
0.05
0.01
0.3
0.2
1.0
0.7
0.5
r(t),
NORMALIZED
TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
Z
θJC(t) = r(t) RθJC
TJ(pk) – TC = P(pk) Z
θJC(t)
Z
θJA(t) = r(t) RθJA
TJ(pk) – TA = P(pk) Z
θJA(t)
D CURVES APPLY FOR
POWER PULSE TRAIN
SHOWN READ TIME AT t1
(SEE AN469)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
P(pk)
D = 0.5
0.2
0.1
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0.05
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPSA56RL1 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA05ZL1 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA06ZL1 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA05RL1 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA55RLRE 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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參數(shù)描述
MPSA56RLRM 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA56RLRMG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA56RLRP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA56RLRPG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA56STOA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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