參數(shù)資料
型號： MPSW56
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： One Watt Amplifier Transistors
中文描述： 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AE
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 380K
代理商： MPSW56
TO-226AE Tape and Reel Data and Package Dimensions
October 1999, Rev. A1
TO-226AE Packaging
Configuration:
Figure 1.0
1,500 units per
EO70 box for
std option
Intermediate Box
FSCINT Label
530mm x 130mm x 83mm
Intermediate box
7,500 units maximum
perfor std option
FSCINT Barcode Label
114mm x 102mm x 51mm
EO70 Immediate Box
Anti-static
Bubble Sheets
(TO-226AE) BULK PACKING INFORMATION
EOL CODE
DESCRIPTION
LEADCLIP
DIMENSION
QUANTITY
J18Z
TO-18 OPTION STD
NO LEAD CLIP
1.0 K / BOX
J05Z
TO-5 OPTION STD
NO LEAD CLIP
1.0 K / BOX
NO EOL
CODE
TO-226 STANDARD
STRAIGHT
NO LEADCLIP
1.5 K / BOX
TO-226AE TNR/AMMO PACKING INFO MATION
Packing
Style
Quantity
EOL code
Reel
A
2,000
D26Z
E
2,000
D27Z
Ammo
M
2,000
D74Z
P
2,000
D75Z
Unit weight = 0.300gm
Reel weight with components = 0.868 kg
Ammo weight with components = 0.880 kg
Max quantity per intermediate box = 10,000 units
AMMO PACK OPTION
See Fig 30 for2 Ammo
Pack Options
BULK OPTION
See Bulk Packing
Information table
375mm x 267mm x 375mm
Intermediate Box
FSCINT
Label
Customized
Label
333mm x 231mm x 183mm
Intermediate Box
FSCINT
Label
Customized
Label
F63TNR
Barcode Label
5Intermediate Box
Customized
Label
327mm x 158mm x 135mm
Immediate Box
LOT:
CBVK741B019
NSID:
PN2222N
D/C1:
D9842
SPEC REV:
B2
QA REV:
SPEC:
QTY:
10000
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
HTB:B
(FSCINT)
F63TNR
Label
Customized
Label
Int5 Reels per
TAPE and REELOPTION
See Fig 20 for various
Reeling Styles
F63TNR Label sample
FSCINT Label sample
Customized
Label
LOT: CBVK741B019
FSID: PN222N
D/C1: D9842 QTY1:
SPEC RN/F: F (F63TNR)3
SPEC:
QTY: 2000
QTY2:
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PDF描述
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MR27T12800J-xxxTN 8M-Word x 16-Bit or 16M-Word x 8-Bit P2ROM
MR27T12800J-xxxTNE 8M-Word x 16-Bit or 16M-Word x 8-Bit P2ROM
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參數(shù)描述
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MPSW56_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSW56RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V 1W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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