參數(shù)資料
型號: MR4A08ACYS35
廠商: 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述: 64K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM
中文描述: 64K的x 16位的3.3V異步磁阻隨機存取內(nèi)存
文件頁數(shù): 6/20頁
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代理商: MR4A08ACYS35
MR0A16A Advanced Information Data Sheet, Rev. 0
6
Freescale Semiconductor
Electrical Specifications
Figure 3. Output Load for ac Test
Table 8. ac Measurement Conditions
Parameter
Value
1.5 V
1.5 V
0 or 3.0 V
2 ns
See Figure 3A
See Figure 3B
Logic input timing measurement reference level
Logic output timing measurement reference level
Logic input pulse levels
Input rise/fall time
Output load for low and high impedance parameters
Output load for all other timing parameters
A
B
OUTPUT
R
L
= 50
Ω
V
L
= 1.5 V
Z
D
= 50
Ω
OUTPUT
600
Ω
725
Ω
5 pF
+3.3 V
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PDF描述
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MR4A08BCMA35 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
MR4A08BCMA35R 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube