參數(shù)資料
型號: MRF21010LR1
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述: S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝: NI-360, CASE 360B-05, 2 PIN
文件頁數(shù): 6/8頁
文件大?。?/td> 542K
代理商: MRF21010LR1
MRF21010LR1 MRF21010LSR1
6
MOTOROLA RF DEVICE DATA
f
MHz
Z
source
Z
load
1990
2110
2230
2.85 - j4.38
2.73 - j6.19
2.89 - j5.04
2.93 - j1.71
2.76 - j2.28
2.83 - j2.59
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 100 mA, P
out
= P1dB CW
Figure 10. Series Equivalent Input and Output Impedance
Z
o
= 10
f = 1990 MHz
f = 2230 MHz
f = 1990 MHz
f = 2230 MHz
Z
source
Z
load
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under Test
Output
Matching
Network
F
Freescale Semiconductor, Inc.
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n
.
相關PDF資料
PDF描述
MRF21010LSR1 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF21030SR3 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N-CHANNEL ENANCEMENT- MODE LATERAL MOSFETS
MRF21030LR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF21060S RF MOSFET(射頻MOS場效應管)
MRF21090R3 SEE A3422LKA-T
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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