參數(shù)資料
型號(hào)： MRF21085
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： NI-780, CASE 465-06, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 11/12頁(yè)
文件大?。?/td> 562K
代理商： MRF21085
11
MRF21085R3 MRF21085SR3 MRF21085LSR3
MOTOROLA RF DEVICE DATA
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 465-06
ISSUE F
NI-780
MRF21085R3
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DELETED
4. DIMENSION H IS MEASURED 0.030 (0.762) AWAY
FROM PACKAGE BODY.
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
K
M
MIN
1.335
0.380
0.125
0.495
0.035
0.003
1.100 BSC
0.057
0.170
0.774
MAX
1.345
0.390
0.170
0.505
0.045
0.006
MIN
33.91
9.65
3.18
12.57
0.89
0.08
27.94 BSC
1.45
4.32
19.66
MAX
34.16
9.91
4.32
12.83
1.14
0.15
MILLIMETERS
INCHES
0.067
0.210
0.786
1.70
5.33
19.96
N
Q
R
S
0.772
.118
0.365
0.365
0.005 REF
0.010 REF
0.015 REF
0.788
.138
0.375
0.375
19.60
3.00
9.27
9.27
0.127 REF
0.254 REF
0.381 REF
20.00
3.51
9.53
9.52
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
1
3
2
D
G
K
C
E
H
S
F
aaa
bbb
ccc
Q
2X
M
A
M
bbb
B
M
T
M
A
M
bbb
B
M
T
B
B
(FLANGE)
SEATING
PLANE
M
A
M
ccc
B
M
T
M
A
M
bbb
B
M
T
A
A
(FLANGE)
T
N
(LID)
M
(INSULATOR)
M
A
M
aaa
B
M
T
(INSULATOR)
R
M
A
M
ccc
B
M
T
(LID)
CASE 465A-06
ISSUE F
NI-780S
MRF21085SR3, MRF21085LSR3
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DELETED
4. DIMENSION H IS MEASURED 0.030 (0.762) AWAY
FROM PACKAGE BODY.
DIM
A
B
C
D
E
F
H
K
M
N
MIN
0.805
0.380
0.125
0.495
0.035
0.003
0.057
0.170
0.774
0.772
MAX
0.815
0.390
0.170
0.505
0.045
0.006
0.067
0.210
0.786
0.788
MIN
20.45
9.65
3.18
12.57
0.89
0.08
1.45
4.32
19.61
19.61
MAX
20.70
9.91
4.32
12.83
1.14
0.15
1.70
5.33
20.02
20.02
MILLIMETERS
INCHES
R
S
U
Z
0.365
0.365
0.375
0.375
0.040
0.030
9.27
9.27
9.53
9.52
1.02
0.76
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
5. SOURCE
1
2
D
K
C
E
H
F
3
U
(FLANGE)
4X
Z
(LID)
4X
bbb
ccc
0.010 REF
0.015 REF
0.254 REF
0.381 REF
aaa
0.005 REF
0.127 REF
M
A
M
bbb
B
M
T
B
B
(FLANGE)
2X
SEATING
PLANE
M
A
M
ccc
B
M
T
M
A
M
bbb
B
M
T
A
(FLANGE)
T
N
(LID)
M
(INSULATOR)
M
A
M
ccc
B
M
T
M
A
M
aaa
B
M
T
R
(LID)
S
(INSULATOR)
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF21085LSR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF21085SR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF21180 RF Power Field Effect Transistor
MRF21180R6 RF Power Field Effect Transistor
MRF224 40W, 175MHz RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF21085LR3 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF21085LS 制造商:Motorola Inc 功能描述:
MRF21085LSR3 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF21085LSR3_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF21085LSR5 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*