參數(shù)資料
型號(hào)： MRF373ALR1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： NI-360, CASE 360B-05, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 481K
代理商： MRF373ALR1
7
MRF373ALR1 MRF373ALSR1
MOTOROLA RF DEVICE DATA
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 360B-05
ISSUE F
NI-360
MRF373ALR1
G
E
C
SEATING
PLANE
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
K
M
N
MIN
0.795
0.225
0.125
0.210
0.055
0.004
0.562 BSC
0.077
0.220
0.355
0.357
MAX
0.805
0.235
0.175
0.220
0.065
0.006
MIN
20.19
5.72
3.18
5.33
1.40
0.10
14.28 BSC
1.96
5.59
9.02
9.07
MAX
20.45
5.97
4.45
5.59
1.65
0.15
MILLIMETERS
INCHES
0.087
0.250
0.365
0.363
2.21
6.35
9.27
9.22
Q
R
S
0.125
0.227
0.225
0.005 REF
0.010 REF
0.015 REF
0.135
0.233
0.235
3.18
5.77
5.72
0.13 REF
0.25 REF
0.38 REF
3.43
5.92
5.97
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
1
2
3
Q
2X
M
A
M
aaa
B
M
T
NOTES:
1. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
PER ASME Y14.5M1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION H IS MEASURED 0.030 (0.762) AWAY
FROM PACKAGE BODY.
aaa
bbb
ccc
M
A
M
bbb
B
M
T
D
2X
K
2X
B
B
(FLANGE)
H
F
M
A
M
ccc
B
M
T
M
A
M
bbb
B
M
T
A
M
(INSULATOR)
A
T
(LID)
M
A
M
ccc
B
M
T
R
(LID)
S
(INSULATOR)
M
A
M
aaa
B
M
T
CASE 360C-05
ISSUE D
NI-360S
MRF373ALSR1
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
DIM
A
B
C
D
E
F
H
K
M
N
R
MIN
0.375
0.225
0.105
0.210
0.035
0.004
0.057
0.085
0.355
0.357
0.227
MAX
0.385
0.235
0.155
0.220
0.045
0.006
0.067
MIN
9.53
5.72
2.67
5.33
0.89
0.10
1.45
2.16
9.02
9.07
5.77
MAX
9.78
5.97
3.94
5.59
1.14
0.15
1.70
MILLIMETERS
INCHES
0.115
0.365
0.363
0.23
2.92
9.27
9.22
5.92
E
C
SEATING
PLANE
2
1
NOTES:
1. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
PER ASME Y14.5M1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION H IS MEASURED 0.030 (0.762) AWAY
FROM PACKAGE BODY.
S
0.225
0.005 REF
0.010 REF
0.015 REF
0.235
5.72
0.13 REF
0.25 REF
0.38 REF
5.97
aaa
bbb
ccc
H
F
M
A
M
ccc
B
M
T
(LID)
S
(INSULATOR)
M
A
M
aaa
B
M
T
M
A
M
bbb
B
M
T
D
2X
B
B
(FLANGE)
M
A
M
ccc
B
M
T
M
A
M
bbb
B
M
T
(INSULATOR)
T
N
(LID)
(FLANGE)
A
K
2X
PIN 3
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
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PDF描述
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