型號(hào): | MRF577T1 |
廠商: | MOTOROLA INC |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | The RF Small Signal Line NPN Silicon High-Frequency Transistor |
中文描述: | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, SOT-323 |
封裝: | SC-70, SOT-323, 3 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 1/12頁(yè) |
文件大?。?/td> | 122K |
代理商: | MRF577T1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MRF5811LT1 | LOW NOISE HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR NPN SILICON |
MRF5S19090LR3 | 1990 MHz, 18 W AVG 2 x N-CDMA, 28 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs |
MRF5S19090LSR3 | 1990 MHz, 18 W AVG 2 x N-CDMA, 28 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs |
MRF5S21130 | The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
MRF5S21130R3 | The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MRF581 | 功能描述:射頻放大器 RF Transistor RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
MRF581_08 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
MRF5811LT1 | 制造商:Motorola Inc 功能描述:UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SOT-143 |
MRF5812 | 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
MRF5812G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MRF5812G - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |