參數(shù)資料
型號： MRF5P21240R6
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： NI-1230, CASE 375D-04, 4 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 782K
代理商： MRF5P21240R6
3
MRF5P21240R6
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Z11, Z12
Z13, Z14
Z15, Z16
Z17, Z18
Z19, Z20
Z24
PCB
1.270
″
x 0.058
″
Microstrip
0.250
″
x 0.500
″
Microstrip
0.850
″
x 0.150
″
Microstrip
0.535
″
x 0.390
″
Microstrip
0.218
″
x 0.080
″
Microstrip
0.825
″
x 0.080
″
Microstrip
Arlon GX–0300–55–22, 0.030
″
,
ε
r
= 2.55
Figure 1. MRF5P21240R6 Test Circuit Schematic
Z1
Z2, Z23
Z3, Z22
Z4, Z21
Z5, Z6
Z7, Z8
Z9, Z10
0.898
″
x 0.080
″
Microstrip
0.775
″
x 0.136
″
Microstrip
0.060
″
x 0.080
″
Microstrip
1.867
″
x 0.080
″
Microstrip
0.443
″
x 0.080
″
Microstrip
0.100
″
x 0.080
″
Microstrip
0.490
″
x 0.540
″
Microstrip
Table 1. MRF5P21240R6 Test Circuit Component Designations and Values
Description
Short Ferrite Beads
18 pF Chip Capacitors
6.8 pF Chip Capacitors
0.1
μ
F Chip Capacitors
1000 pF Chip Capacitors
4.7
μ
F Tantalum Capacitors
10
μ
F Electrolytic Capacitors
C19, C20, C21, C22
C23, C24, C25, C26
C27, C28
100
μ
F Electrolytic Capacitors
R1, R2
1.0 k , 1/8 W Chip Resistors
R3, R4
10 , 1/8 W Chip Resistors
Part
Value, P/N or DWG
2743019447
100B180JCA500X
100B6R8JCA500X
CDR33BX104AKWS
100B102JCA500X
T491C475M050
EEV–HB1H100P
T491X226K035AS4394
Manufacturer
Fair Rite
ATC
ATC
Kemet
ATC
Kemet
Panasonic
Kemet
B1, B2
C1, C2, C3, C4
C5, C6, C7, C8
C9, C10, C11, C12
C13, C14
C15, C16
C17, C18
22
μ
F Tantalum Capacitors
517D107M050BB6A
Sprague
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S19100HD The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S19100HR3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S19100HSR3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S19150 RF Power Field Effect Transistors
MRF5S19150R3 RF Power Field Effect Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF5S18060N 制造商:FREESCALE-SEMI 功能描述:
MRF5S18060NBR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1880MHZ 60W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S18060NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1880MHZ 60W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S19060MBR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 12W TO-272-4 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF5S19060MR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 12W TO-270-4 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*