參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5S21130
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： NI-880, CASE 465B-03, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 7/12頁(yè)
文件大?。?/td> 410K
代理商： MRF5S21130
7
MRF5S21130 MRF5S21130R3 MRF5S21130S MRF5S21130SR3
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 12. Series Equivalent Input and Output Impedance
f
MHz
Z
source
Z
load
2080
2110
2140
1.51 – j2.97
1.59 – j2.68
1.52 – j2.54
2.87 – j9.49
3.13 – j9.86
4.05 – j10.90
5
/1%
(
5
;"%
67
5
2 "89:
6
5
6/
I
$ 5
#+,
$ 5
#+,
6<1=
$ 5
#+,
$ 5
#+,
2170
2200
1.54 – j3.13
1.62 – j2.70
4.80 – j11.75
5.55 – j11.87
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
>7
#71>9
=7@6<A
=81=
>/=<
=7
77
#71>9
=7@6<A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S21130R3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S21130S The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S21130SR3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S21150 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF5S21150S RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF5S21130HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 LDMOS WCDMA NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S21130HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 LDMOS WCDMA NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S21130HS 制造商:Motorola Inc 功能描述:
MRF5S21130HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 LDMOS WCDMA NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S21130HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 LDMOS WCDMA NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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