參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5S21130S
廠商： MOTOROLA INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： NI-880S, CASE 465C-02, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
文件大?。?/td> 410K
代理商： MRF5S21130S
3
MRF5S21130 MRF5S21130R3 MRF5S21130S MRF5S21130SR3
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 1. MRF5S21130 Test Circuit Schematic
Z9, Z10
Z11
Z12
Z13
Z14, Z15
Z16
PCB
0.709
″
x 0.083
″
Microstrip
0.415
″
x 1.000
″
Microstrip
0.531
″
x 0.083
″
Microstrip
0.994
″
x 0.083
″
Microstrip
0.070
″
x 0.220
″
Microstrip
0.430
″
x 0.083
″
Microstrip
Taconic TLX8, 0.76 mm,
ε
r
= 2.55
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6, Z7
Z8
0.500
″
x 0.083
″
Microstrip
0.995
″
x 0.083
″
Microstrip
0.905
″
x 0.083
″
Microstrip
0.159
″
x 1.024
″
Microstrip
0.117
″
x 1.024
″
Microstrip
0.749
″
x 0.083
″
Microstrip
0.117
″
x 1.000
″
Microstrip
Table 1. MRF5S21130 Test Circuit Component Designations and Values
Part
Description
Value, P/N or DWG
293D1106X9035D
1812Y224KXA
100B6R8CW
100B0R1BW
100B0R5BW
13668221
Manufacturer
Vishay–Sprague
Vishay–Vitramon
ATC
ATC
ATC
Philips
C1, C2, C13, C14, C15, C16
C3, C4, C11, C12
C5, C6, C7, C9, C10, C18, C19
C8
C17
C20
R1, R2
10
μ
F, 35 V Tantalum Capacitors
220 nF Chip Capacitors (1812)
6.8 pF 100B Chip Capacitors
0.1 pF 100B Chip Capacitor
0.5 pF 100B Chip Capacitor
220
μ
F, 63 V Electrolytic Capacitor, Radial
1 k , 1/4 W Chip Resistors
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PDF描述
MRF5S21130SR3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S21150 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF5S21150S RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF5S21150R3 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF5S21150SR3 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
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