參數(shù)資料
型號： MRF5S21150
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
中文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： NI-880, CASE 465B-03, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 556K
代理商： MRF5S21150
MRF5S21150R3 MRF5S21150SR3
6
MOTOROLA RF DEVICE DATA
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 8. 2-Carrier W-CDMA ACPR, IM3,
Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power
Figure 9. 2-Carrier W-CDMA Spectrum
10
0.0001
100
0
PEAKTOAVERAGE (dB)
Figure 10. CCDF W-CDMA 3GPP, Test Model 1,
64 DPCH, 67% Clipping, Single Carrier Test Signal
P
10
1
0.1
0.01
0.001
2
4
6
8
220
10
9
100
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 11. MTBF Factor versus Junction Temperature
M
2
This above graph displays calculated MTBF in hours x ampere
2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±
10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTBF factor by I
D2
for MTBF in a particular application.
10
8
10
7
10
6
120
140
160
180
200
f, FREQUENCY (MHz)
110
120
70
20
80
60
50
(
90
100
40
30
3.84 MHz
Channel BW
IM3 @
3.84 MHz BW
+IM3 @
3.84 MHz BW
ACPR @
3.84 MHz BW
+ACPR @
3.84 MHz BW
20
5
15
10
0
5
10
15
20
25
25
0
55
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG. (WCDMA)
I
,
η
Gp
30
25
25
30
20
35
15
40
5
50
1
10
100
η
G
ps
ACPR
IM3
45
10
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1300 mA, f1 = 2135 MHz,
f2 = 2145 MHz, 2 x WCDMA, 10 MHz
@ 3.84 MHz Bandwidth, Peak/Avg. = 8.5 dB
@ 0.01% Probability (CCDF)
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S21150S RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF5S21150R3 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF5S21150SR3 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF5S9070NR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6402 RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF5S21150HR3 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF5S21150HR5 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
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MRF5S21150HSR5 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880S RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF5S21150R3 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
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