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參數(shù)資料
| 型號： | MRF6522-70R3 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | RF MOSFETS(RF MOS場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | NI-600, CASE 465D-05, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 226K |
| 代理商： | MRF6522-70R3 |
5
MRF6522–70 MRF6522–70R3
MOTOROLA RF DEVICE DATA
TYPICAL CHARACTERISTICS
Pin, INPUT POWER (WATTS)
Figure 8. Power Gain and Efficiency
versus Input Power
Figure 7. Efficiency and Output Power
versus Input Power
0
70
10
30
Figure 9. Power Gain and Efficiency
versus Input Power
20
40
50
60
20
19
,
G
18
17
16
15
14
13
VDS = 26 Vdc
f = 921 MHz
Gps
Pin, INPUT POWER (WATTS)
80
0
20
40
50
70
2.0
,
0.5
1.0
1.5
10
30
60
VDS = 26 V
IDQ = 400 mA
f = 960 MHz
0
80
70
60
50
40
30
20
10
0
P
Pout
3.96
2.26
1.26
0.70
0.38
0.21
0.12
0.06
0.03
0.02
Pin, INPUT POWER (WATTS)
0
70
10
30
20
40
50
60
20
19
,
G
18
17
16
15
14
13
VDS = 26 Vdc
f = 960 MHz
Gps
3.70
2.14
1.15
0.62
0.34
0.18
0.10
0.05
0.03
0.02
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF652 | RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON |
| MRF652S | RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON |
| MRF653 | RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
| MRF654 | RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
| MRF658 | RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF6522--70R3 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRF6522-70R3_06 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MRF6522-70R3_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRF652-A | 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| MRF652S | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
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