參數(shù)資料
型號(hào)： MRF7S18125BHR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465-06, 2 PIN
文件頁數(shù)： 3/14頁
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代理商： MRF7S18125BHR3
MRF7S18125BHR3 MRF7S18125BHSR3
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
36
P3dB = 53.76 dBm (237.7 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD = 28 Vdc, IDQ = 1100 mA, Pulsed CW
10
μsec(on), 10% Duty Cycle, f =1960 MHz
56
54
52
37
39
38
40
42
Actual
Ideal
P1dB = 52.89 dBm
(194.5 W)
57
55
49
P
out
,OUTPUT
POWER
(dBm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
53
58
59
60
61
35
34
33
41
32
P6dB = 54.29 dBm (268.5 W)
51
50
43
44
Test Impedances per Compression Level
Zsource
Ω
Zload
Ω
P1dB
0.65 - j4.06
0.73 - j2.62
Figure 18. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF7S19080HSR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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MRF7S19170HR3 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
MRF7S18125BHR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.9GHZ CW 125W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S18125BHSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.9GHZ CW 125W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S18125BHSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.9GHZ CW 125W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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