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參數(shù)資料
| 型號： | MRF7S21210HSR3 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 13/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 458K |
| 代理商： | MRF7S21210HSR3 |
MRF7S21210HR3 MRF7S21210HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 4. Test Circuit Component Layout — MRF7S21210HSR3
MRF7S21210HS
Rev. 0
CUT
OUT
AREA
R2
R3
C3
C2
C1
C5
C4
C6
C8
C7
C9
C16
C17
C18
C20
C19
C15
C13
C14
C11 C12
C10
R1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF7S27130HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF7S35015HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF7S38010HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF7S38040HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF7S38040HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF7S21210HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 2.1GHZ WCDMA NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF7S27130HR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 2.7GHZ 130W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF7S27130HR3_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF7S27130HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 2.7GHZ 130W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF7S27130HSR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 2.7GHZ 130W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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