參數(shù)資料
型號(hào)： MRF7S38010HSR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-400S-240, CASE 465J-02, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 13/15頁(yè)
文件大小： 520K
代理商： MRF7S38010HSR3
MRF7S38010HR3 MRF7S38010HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
IMD,
INTERMODULA
TION
DIST
ORTION
(dBc)
70
10
1
40
50
10
30
20
60
7th Order
5th Order
3rd Order
50
Figure 8. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
TWO TONE SPACING (MHz)
10
70
IM3 U
20
30
50
1
100
IMD,
INTERMODULA
TION
DIST
ORTION
(dBc)
40
IM3 L
IM5 U
IM5 L
IM7 L
IM7 U
15
50
55
60
45
Figure 9. WiMAX, ACPR, Power Gain and Drain
Efficiency versus Output Power
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG. WiMAX
45
35
30
10
20
ACPR
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%),
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
ACPR
(dBc)
ηD
40
25
15
Gps
VDD = 30 Vdc, IDQ = 160 mA
f1 = 3495 MHz, f2 = 3505 MHz
Two Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
VDD = 30 Vdc, Pout = 12 W (PEP), IDQ = 160 mA
Two Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 3500 MHz
30
11
19
0
50
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 10. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
VDD = 30 Vdc
IDQ = 160 mA
f = 3500 MHz
TC = 30_C
25
_C
30
_C
85
_C
10
1
16
15
14
13
12
35
30
25
20
15
η
D,
DRAIN
EFFICIENCY
(%)
Gps
ηD
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
Figure 11. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
10
11
17
05
12
13
14
IDQ = 160 mA
f = 3500 MHz
25
VDD = 28 V
30 V
10
110
40
35
30
25
20
17
40
25
_C
85
_C
15
16
32 V
5
TC = 30_C
30
_C
85
_C
25
_C
60
VDD = 30 Vdc, IDQ = 160 mA
f = 3500 MHz, 802.16d, 64 QAM 3
/4
4 Bursts, 7 MHz Channel
Bandwidth, Input Signal PAR = 9.5 dB
@ 0.01% Probability on CCDF
85
_C
25
_C
30
_C
85
_C
18
45
15
20
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PDF描述
MRF7S38040HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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