參數(shù)資料
型號(hào): MRF8HP21080HR3
廠商: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi): 功率晶體管
英文描述: 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝: ROHS COMPLIANT, NI-780-4, CASE 465M-01, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù): 4/14頁(yè)
文件大小: 528K
代理商: MRF8HP21080HR3
12
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8HP21080HR3 MRF8HP21080HSR3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF8HP21080HSR5 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8HP21080HSR3 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF8HP21130HSR3 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF8HP21080HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 160W NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8HP21080HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 160W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8HP21080HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 160W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8HP21130HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 130W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF8HP21130HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV8 2.1GHZ 130W NI780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray