參數(shù)資料
型號(hào)： MRF9060MR1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： The RF Sub-micron MOSFET Line RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N-channel Enhancement-mode Lateral MOSFETs
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA
封裝： PLASTIC, TO-270, CASE 1265-08, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
文件大?。?/td> 422K
代理商： MRF9060MR1
3
MRF9060MR1 MRF9060MBR1
MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS — continued
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
FUNCTIONAL TESTS
(In Motorola Test Fixture, 50 ohm system)
Two–Tone Common–Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 60 W PEP, I
DQ
= 450 mA,
f1 = 945.0 MHz, f2 = 945.1 MHz)
G
ps
17
18
—
dB
Two–Tone Drain Efficiency
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 60 W PEP, I
DQ
= 450 mA,
f1 = 945.0 MHz, f2 = 945.1 MHz)
η
37
40
—
%
3rd Order Intermodulation Distortion
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 60 W PEP, I
DQ
= 450 mA,
f1 = 945.0 MHz, f2 = 945.1 MHz)
IMD
—
–31.5
–28
dBc
Input Return Loss
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 60 W PEP, I
DQ
= 450 mA,
f1 = 945.0 MHz, f2 = 945.1 MHz)
IRL
—
–14.5
–9
dB
Two–Tone Common–Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 60 W PEP, I
DQ
= 450 mA,
f1 = 930.0 MHz, f2 = 930.1 MHz and f1 = 960.0 MHz,
f2 = 960.1 MHZ)
G
ps
—
18
—
dB
Two–Tone Drain Efficiency
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 60 W PEP, I
DQ
= 450 mA,
f1 = 930.0 MHz, f2 = 930.1 MHz and f1 = 960.0 MHz,
f2 = 960.1 MHZ)
η
—
40
—
%
3rd Order Intermodulation Distortion
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 60 W PEP, I
DQ
= 450 mA,
f1 = 930.0 MHz, f2 = 930.1 MHz and f1 = 960.0 MHz,
f2 = 960.1 MHZ)
IMD
—
–31
—
dBc
Input Return Loss
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 60 W PEP, I
DQ
= 450 mA,
f1 = 930.0 MHz, f2 = 930.1 MHz and f1 = 960.0 MHz,
f2 = 960.1 MHZ)
IRL
—
–12.5
—
dB
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF9080LSR3 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF9080SR3 20 characters x 4 Lines, 5x7 Dot Matric Character and Cursor
MRF9080R3 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF9080 128K 3.3 VOLT SERIAL CONFIGURATION PROM
MRF9100 GSM/EDGE 900 MHz, 110 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs
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參數(shù)描述
MRF9060NBR1 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN TO272-2 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF9060NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 60W 1GHZ FET TO-270 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF9060NR1_09 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF9060R1 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:945 MHz, 60 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs
MRF9060S 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:945 MHz, 60 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs
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