參數(shù)資料
型號(hào)： MSM5117405D
廠商： OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD.
英文描述： 4,194,304-Word x 4-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO
中文描述： 4194304字× 4位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器：快速頁(yè)面模式型與江戶
文件頁(yè)數(shù)： 5/15頁(yè)
文件大?。?/td> 193K
代理商： MSM5117405D
MSM5117405D
5/15
DC Characteristics
(V
CC
= 5V ± 10%, Ta = 0°C to 70°C)
MSM5117405
D-50
MSM5117405
D-60
MSM5117405
D-70
Parameter
Symbol
Condition
Min.
Max
Min.
Max
Min.
Max
Unit
Note
Output High Voltage
V
OH
V
OL
I
OH
=
-
5.0mA
I
OL
= 4.2mA
2.4
V
CC
2.4
V
CC
2.4
V
CC
V
Output Low Voltage
0
0.4
0
0.4
0
0.4
V
Input Leakage
Current
I
LI
0V
￡
V
I
￡
6.5V ;
All other pins not
under test = 0V
-
10
10
-
10
10
-
10
10
m
A
Output Leakage
Current
I
LO
DQ disable
0V
￡
V
O
￡
V
CC
-
10
10
-
10
10
-
10
10
m
A
Average Power
Supply Current
(Operating)
I
CC1
RAS, CAS cycling,
t
RC
= Min.
100
90
80
mA
1,2
RAS, CAS = V
IH
2
2
2
Power Supply
Current
(Standby)
I
CC2
RAS, CAS
3
V
CC
– 0.2V
1
1
1
mA
1
Average Power
Supply Current
(RAS-only Refresh)
I
CC3
RAS cycling,
CAS = V
IH
,
t
RC
= Min.
100
90
80
mA
1,2
Power Supply
Current
(Standby)
I
CC5
RAS = V
IH
,
CAS = V
IL
,
DQ = enable
5
5
5
mA
1
Average Power
Supply Current
(CAS before RAS
Refresh)
I
CC6
RAS = cycling,
CAS before RAS
100
90
80
mA
1,2
Average Power
Supply Current
(Fast Page Mode)
I
CC7
RAS = V
IL
,
CAS cycling,
t
PC
= Min.
100
90
80
mA
1,3
Notes: 1.
I
CC
Max. is specified as I
CC
for output open condition.
2.
The address can be changed once or less while RAS = V
IL
.
3.
The address can be changed once or less while CAS = V
IH
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MSM5117405F 4,194,304-Word 】 4-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO
MSM5117800A 2,197,152-Word x 8-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE
MSM5117800D-60JS 2,097,152-Word x 8-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE
MSM5117800D 2,097,152-Word x 8-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE
MSM5117805A 2,097,152-Word x 8-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO
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