參數(shù)資料
型號(hào)： MSM5117405F
廠商： OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD.
英文描述： 4,194,304-Word 】 4-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO
中文描述： 4194304詞】4位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器：快速頁(yè)面模式型與江戶
文件頁(yè)數(shù)： 7/17頁(yè)
文件大?。?/td> 220K
代理商： MSM5117405F
FEDD5117405F-01
1
Semiconductor
MSM5117405F
7/17
AC CHARACTERISTICS (2/3)
(V
CC
= 5V
±
10%, Ta = 0 to 70°C) Note1,2,3,12,13
MSM5117405
F-60
MSM5117405
F-50
MSM5117405
F-70
Parameter
Symbol
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Note
CAS
to
RAS
Precharge Time
t
CRP
5
5
5
ns
RAS
Hold Time from
CAS
Precharge t
RHCP
30
35
40
ns
OE
Hold Time from
CAS
(DQ Disable)
t
CHO
5
5
5
ns
RAS
to
CAS
Delay Time
t
RCD
11
37
14
45
14
50
ns
5
RAS
to Column Address Delay Time
t
RAD
9
25
12
30
12
35
ns
6
Row Address Set-up Time
t
ASR
0
0
0
ns
Row Address Hold Time
t
RAH
7
10
10
ns
Column Address Set-up Time
t
ASC
0
0
0
ns
Column Address Hold Time
t
CAH
7
10
13
ns
Column Address to
RAS
Lead Time
t
RAL
25
30
35
ns
Read Command Set-up Time
t
RCS
0
0
0
ns
Read Command Hold Time
t
RCH
0
0
0
ns
9
Read Command Hold Time
referenced to
RAS
t
RRH
0
0
0
ns
9
Write Command Set-up Time
t
WCS
0
0
0
ns
10
Write Command Hold Time
t
WCH
7
10
13
ns
Write Command Pulse Width
t
WP
7
10
10
ns
WE
Pulse Width (DQ Disable)
t
WPE
7
10
10
ns
OE
Command Hold Time
t
OEH
7
10
13
ns
OE
Precharge Time
t
OEP
7
10
10
ns
OE
Command Hold Time
t
OCH
7
10
10
ns
Write Command to
RAS
Lead Time
t
RWL
7
10
13
ns
Write Command to
CAS
Lead Time
t
CWL
7
10
13
ns
Data-in Set-up Time
t
DS
0
0
0
ns
11
Data-in Hold Time
t
DH
7
10
13
ns
11
OE
to Data-in Delay Time
t
OED
13
15
20
ns
CAS
to
WE
Delay Time
t
CWD
30
34
44
ns
10
Column Address to
WE
Delay Time
t
AWD
42
49
59
ns
10
RAS
to
WE
Delay Time
t
RWD
67
79
94
ns
10
CAS
Precharge
WE
Delay Time
t
CPWD
47
54
64
ns
10
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PDF描述
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MSM5117805A 2,097,152-Word x 8-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO
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