參數(shù)資料
型號： MSM5118160B
廠商： OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD.
英文描述： 1,048,576-Word x 16-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE
中文描述： 1,048,576字× 16位動態(tài)隨機存儲器：快速頁面模式型
文件頁數(shù)： 7/16頁
文件大?。?/td> 253K
代理商： MSM5118160B
7/16
Semiconductor
MSM5118160B
AC Characteristics (2/2)
Write Command Pulse Width
OE
Command Hold Time
Write Command to
CAS
Lead Time
Data-in Set-up Time
Data-in Hold Time
OE
to Data-in Delay Time
Write Command to
RAS
Lead Time
CAS
to
WE
Delay Time
Column Address to
WE
Delay Time
RAS
to
WE
Delay Time
CAS
Precharge
WE
Delay Time
RAS
to
CAS
Hold Time (
CAS
before
RAS
)
CAS
Active Delay Time from
RAS
Precharge
RAS
to
CAS
Set-up Time (
CAS
before
RAS
)
Write Command Hold Time
Write Command Set-up Time
t
WP
t
OEH
t
CWL
t
DS
t
DH
t
OED
t
RWL
t
CWD
t
AWD
t
RWD
t
CPWD
t
CSR
t
CHR
t
RPC
t
WCH
t
WCS
MSM5118160
B-60
MSM5118160
B-70
MSM5118160
B-50
(V
CC
= 5 V ±10%, Ta = 0°C to 70°C) Note 1, 2, 3
Parameter
Symbol
Max.
—
Note
13
10, 11
10, 11
9
9
9
9
11
12
11
11
9, 11
Min.
0
10
15
15
0
10
15
15
40
55
85
60
10
10
5
10
Max.
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Unit
Min.
0
7
13
0
7
13
13
36
48
73
53
10
10
5
7
13
Max.
—
Min.
0
10
20
20
0
15
20
20
50
65
100
70
10
10
5
15
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
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PDF描述
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MSM5118160DSL 1,048,576-Word x 16-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE
MSM5118160F 1,048,576-Word 】 16-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE
MSM5118165A 1,048,576-Word x 16-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO
MSM5118165B 1,048,576-Word x 16-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO
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MSM5118160F-60J3-7 功能描述:IC DRAM 16MBIT 60NS 42SOJ RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤
MSM5118160F-60JS 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
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