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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MSM5118160F |
| 廠(chǎng)商： | OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
| 英文描述： | 1,048,576-Word 】 16-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE |
| 中文描述： | 1,048,576詞】16位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器：快速頁(yè)面模式型 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/15頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 173K |
| 代理商： | MSM5118160F |
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FEDD5118160F-01
1
Semiconductor
MSM5118160F
7/15
AC CHARACTERISTICS (2/2)
(V
CC
= 5V
±
10%, Ta = 0 to 70°C) Note1,2,3
MSM5118160
F-60
F-70
MSM5118160
F-50
MSM5118160
Parameter
Symbol
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Note
Row Address Hold Time
t
RAH
7
10
10
ns
Column Address Set-up Time
t
ASC
0
0
0
ns
11
Column Address Hold Time
t
CAH
7
10
15
ns
11
Column Address to
RAS
Lead Time
t
RAL
25
30
35
ns
Read Command Set-up Time
t
RCS
0
0
0
ns
11
Read Command Hold Time
t
RCH
0
0
0
ns
8, 11
Read Command Hold Time
referenced to
RAS
t
RRH
0
0
0
ns
8
Write Command Set-up Time
t
WCS
0
0
0
ns
9, 11
Write Command Hold Time
t
WCH
7
10
15
ns
11
Write Command Pulse Width
t
WP
7
10
10
ns
OE
Command Hold Time
t
OEH
13
15
20
ns
Write Command to
RAS
Lead Time
t
RWL
13
15
20
ns
Write Command to
CAS
Lead Time
t
CWL
13
15
20
ns
13
Data-in Set-up Time
t
DS
0
0
0
ns
10, 11
Data-in Hold Time
t
DH
7
10
15
ns
10, 11
OE
to Data-in Delay Time
t
OED
13
15
20
ns
CAS
to
WE
Delay Time
t
CWD
36
40
50
ns
9
Column Address to
WE
Delay Time
t
AWD
48
55
65
ns
9
RAS
to
WE
Delay Time
t
RWD
73
85
100
ns
9
CAS
Precharge
WE
Delay Time
t
CPWD
53
60
70
ns
9
CAS
Active Delay Time from
RAS
Precharge
t
RPC
5
5
5
ns
11
RAS
to
CAS
Set-up Time
(
CAS
before
RAS
)
t
CSR
5
5
5
ns
11
RAS
to
CAS
Hold Time
(
CAS
before
RAS
)
t
CHR
10
10
10
ns
12
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